时间：2025/9/1 11:30:35
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IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高速异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件容量为128K x 8位，适用于需要高速数据访问但不需要大容量存储的应用场景。其高速访问时间（最高为10ns）使其适用于各种高性能系统，如网络设备、通信设备、工业控制系统以及嵌入式系统等。该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗和高可靠性的特点。
容量：128K x 8位
访问时间：10ns
电源电压：3.3V
封装类型：54引脚TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据总线宽度：8位
地址总线宽度：17位
功耗（典型值）：100mA（待机模式下为10mA）
IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR具备高速访问能力，访问时间低至10ns，适用于对响应速度要求高的应用。该芯片采用先进的CMOS技术，提供低功耗运行，在待机模式下的电流消耗仅为10mA，有助于延长便携式设备的电池寿命。
该SRAM芯片具有宽广的工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于工业级环境条件，能够在恶劣温度条件下保持稳定运行。此外，其54引脚TSOP封装设计有助于节省电路板空间，并提高系统集成度。
IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR还支持异步操作，允许灵活地与各种控制器或处理器接口连接，简化了系统设计。其高可靠性和稳定的性能使其成为网络交换设备、工业控制模块、测试设备和嵌入式系统中的理想选择。
该芯片广泛应用于需要快速数据存储和访问的场景，例如网络路由器、交换机、通信设备、嵌入式系统、工业自动化控制、仪器仪表、测试设备以及消费类电子产品中的缓存模块。由于其工业级温度范围和低功耗特性，也适用于需要在极端环境下运行的系统。
IS61WV1288EBLL-10TLI-TR, CY62148EVLL-45ZE3, IDT71V416SA10PFGI, IS64WV2568EBLL-10TLI-TR
