IRF7501TRP 时间：2025/8/11 20:52:27 阅读：33

IRF7501TRP 是一款由 Infineon Technologies（英飞凌）制造的高性能 N 沟道功率 MOSFET。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，广泛用于 DC-DC 转换器、电源管理、电机控制和电池管理系统等领域。该器件采用先进的沟道技术和优化的封装设计，提供了低导通电阻和高电流处理能力，适合用于各种高性能电源系统。

参数

类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）@25°C：14A
　　导通电阻（Rds(on)）@4.5V Vgs：22mΩ
　　导通电阻（Rds(on)）@2.5V Vgs：27mΩ
　　功率耗散（Pd）：3.3W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TSSOP
　　引脚数：8
　　技术：TrenchFET

特性

IRF7501TRP 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中表现卓越。首先，该器件具有非常低的导通电阻（Rds(on)），在 4.5V 栅极电压下仅为 22mΩ，极大地降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。在 2.5V 栅极电压下，其导通电阻也仅为 27mΩ，这使得该器件能够兼容低压栅极驱动器，适用于多级转换器或同步整流器等应用。
　　其次，IRF7501TRP 采用了先进的 TrenchFET 技术，结合优化的硅片结构和封装设计，实现了优异的热性能和电流处理能力。该器件能够在高频率下稳定工作，适用于高频开关电源和同步整流电路，从而减少外部滤波元件的体积，提高功率密度。
　　此外，该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅极电压，具有较强的抗电压波动能力，确保在各种工作条件下稳定运行。其 TSSOP 封装形式不仅体积小巧，便于 PCB 布局，还具备良好的散热性能，适合用于空间受限但对热管理有较高要求的应用场景。
　　最后，IRF7501TRP 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应多种环境条件，包括工业级温度要求，确保在严苛环境下依然可靠运行。

应用

IRF7501TRP 广泛应用于多个高功率密度和高效率要求的电源系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可作为高边或低边开关，提供高效的能量转换；在同步整流器中，其低导通电阻和快速开关特性可显著提升转换效率。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS），用于控制电池充放电路径，保护电池组免受过流或短路损坏。在电机控制和负载开关应用中，IRF7501TRP 能够提供稳定的电流控制和快速响应能力，适用于自动化设备、电动工具和工业控制系统。由于其紧凑的 TSSOP 封装，该器件也常见于便携式电子产品和嵌入式系统中，如笔记本电脑电源适配器、USB PD 电源管理和智能电表等应用场景。