时间：2025/8/2 12:27:37
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CS8N60是一款高耐压、大电流能力的N沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于电源转换、开关电路以及功率控制领域。该器件采用TO-220封装，具备良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于各种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：8A
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.85Ω（最大1.0Ω）
功率耗散（Pd）：50W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
CS8N60具有优异的导通性能和开关特性，适用于高效率的功率转换系统。其高耐压能力（600V Vds）使其在AC-DC电源、DC-DC转换器以及马达驱动等应用中表现出色。此外，该MOSFET具备低导通电阻，有助于降低导通损耗，提高系统效率。器件的栅极设计支持快速开关，减少了开关过程中的能量损耗。TO-220封装提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下依然保持稳定运行。CS8N60还具备较强的抗过载能力和热保护特性，能够在严苛的工作环境中维持可靠的工作状态。
在实际应用中，CS8N60常用于开关电源（SMPS）、LED驱动、逆变器、电池充电器以及工业自动化控制系统。其耐用性和高效能表现使其成为许多中高功率应用的首选器件。
CS8N60广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、LED照明驱动、电池充电器、逆变器以及工业自动化设备中的功率开关控制。由于其高耐压和大电流能力，该器件也适用于需要高效能功率管理的家电和工业控制系统。
FQP8N60C, IRF840, STP8NK60Z, 8N60CF
