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IRF7477TRPBF 发布时间 时间:2025/5/10 10:05:35 查看 阅读:9

IRF7477TRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-263-3(D2PAK)封装形式。该器件由Infineon Technologies生产,主要用于开关电源、电机驱动和DC-DC转换器等应用领域。IRF7477TRPBF具有低导通电阻和高电流处理能力,同时具备快速开关速度和良好的热性能。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:89A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:115nC
  开关时间:ton=9ns, toff=21ns
  工作结温范围:-55℃至+175℃

特性

IRF7477TRPBF具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效减少导通损耗,提高效率。
  2. 高额定电流,适用于大功率应用场景。
  3. 快速开关速度,适合高频操作环境。
  4. 小型化封装设计,节省PCB空间。
  5. 良好的热稳定性,确保在高温条件下仍能可靠运行。
  6. 具备出色的雪崩能力和鲁棒性,提高了系统的安全性和可靠性。

应用

IRF7477TRPBF广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路,用于控制直流无刷电机或步进电机。
  3. DC-DC转换器,特别是在降压和升压转换器中作为功率开关。
  4. 电池管理系统(BMS),用于电池充放电保护和均衡。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载开关和电机驱动。

替代型号

IRF7477GTRPBF, IRF7477STRPBF

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IRF7477TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8.5 毫欧 @ 14A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2710pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7477PBFTRIRF7477TRPBF-NDIRF7477TRPBFTR-ND