IRF7468TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的 Trench 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种高效能的开关应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK),使其在散热性能和空间占用之间取得了良好的平衡。
这款 MOSFET 主要应用于 DC-DC 转换器、负载点转换器(POL)、电机驱动、开关电源以及其他需要高效能开关的应用场景中。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:32A
导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
栅极电荷:12nC(典型值)
反向恢复电荷:0nC(由于内置体二极管无反向恢复)
工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:TO-252 (DPAK)
IRF7468TRPBF 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
3. 内置体二极管无反向恢复电荷,有助于减少开关损耗。
4. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
6. 小型化封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
这些特性使得 IRF7468TRPBF 成为高性能功率转换应用的理想选择。
IRF7468TRPBF 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器和充电器。
2. DC-DC 转换器,特别是在服务器、通信设备和其他工业应用中。
3. 电机驱动和控制,包括无刷直流电机(BLDC)驱动。
4. 工业自动化设备中的负载开关。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
由于其出色的电气特性和可靠性,IRF7468TRPBF 在众多电力电子应用中表现出色。
IRF7468GTRPBF, Infineon BSC019N06NS5