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IRF7468TRPBF 发布时间 时间:2025/5/19 16:58:48 查看 阅读:5

IRF7468TRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道沟道功率 MOSFET。该器件采用了先进的 Trench 技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合用于各种高效能的开关应用。其封装形式为 TO-252 (DPAK),使其在散热性能和空间占用之间取得了良好的平衡。
  这款 MOSFET 主要应用于 DC-DC 转换器、负载点转换器(POL)、电机驱动、开关电源以及其他需要高效能开关的应用场景中。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:32A
  导通电阻(Rds(on)):1.9mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:12nC(典型值)
  反向恢复电荷:0nC(由于内置体二极管无反向恢复)
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

IRF7468TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻,能够显著降低传导损耗,提高系统效率。
  2. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  3. 内置体二极管无反向恢复电荷,有助于减少开关损耗。
  4. 快速开关速度,适用于高频开关应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠性高。
  6. 小型化封装设计,便于 PCB 布局和散热管理。
  这些特性使得 IRF7468TRPBF 成为高性能功率转换应用的理想选择。

应用

IRF7468TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),例如适配器和充电器。
  2. DC-DC 转换器,特别是在服务器、通信设备和其他工业应用中。
  3. 电机驱动和控制,包括无刷直流电机(BLDC)驱动。
  4. 工业自动化设备中的负载开关。
  5. 电池管理系统(BMS)中的保护电路。
  由于其出色的电气特性和可靠性,IRF7468TRPBF 在众多电力电子应用中表现出色。

替代型号

IRF7468GTRPBF, Infineon BSC019N06NS5

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IRF7468TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C15.5 毫欧 @ 9.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2460pF @ 20V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7468PBFTRIRF7468TRPBF-NDIRF7468TRPBFTR-ND