时间：2025/4/27 17:58:54
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IRF7467是英飞凌（Infineon）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用SO-8封装形式，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能等特性，适合需要高效能和小型化的应用场合。
IRF7467通过优化的制造工艺实现了较低的栅极电荷和输出电容，从而减少了开关损耗，提高了系统的整体效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：32A
导通电阻：1.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：19nC（典型值）
总电容：175pF（典型值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：SO-8
IRF7467具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高电流承载能力，能够满足大功率应用的需求。
3. 快速开关速度，得益于低栅极电荷和输出电容的设计，可有效降低开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内保持性能一致性。
5. 小型化封装设计，节省PCB空间，便于高密度电路布局。
6. 符合RoHS标准，环保且可靠。
IRF7467广泛适用于多种电力电子领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率级开关。
2. DC-DC转换器的核心功率元件。
3. 电动工具和家用电器中的电机驱动控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统中的电池管理与保护电路。
其高效的开关特性和紧凑的封装使其成为高性能电力电子应用的理想选择。
IRLZ44N, FDP5512
