时间：2025/5/13 11:34:30
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IRF7466TRPBF 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道功率 MOSFET，采用 ThinPAK-8 封装形式。该器件设计用于高频开关应用和高效率功率转换场景。IRF7466TRPBF 具有低导通电阻（Rds(on)）和极低的栅极电荷（Qg），从而优化了其在高频条件下的性能表现。其耐压能力为 60V，广泛适用于 DC-DC 转换器、负载点转换器（POL）、电机驱动以及电池供电设备等应用领域。
这款器件通过减少导通损耗和开关损耗，提升了整体系统效率，同时 ThinPAK-8 封装也提供了更优的散热性能和较小的占板面积，非常适合对空间敏感的设计。
最大漏源电压：60V
最大漏电流：32A
导通电阻：1.2mΩ
栅极电荷：19nC
总栅极电荷：15nC
输入电容：1040pF
输出电容：1200pF
反向传输电容：220pF
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
1. 低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通损耗。
2. 极低的栅极电荷（Qg），有助于提升开关速度并减少开关损耗。
3. 高电流处理能力（32A），适合大功率应用。
4. 耐用的封装设计，具备良好的热性能。
5. 工作温度范围宽广（-55℃ 至 +150℃），适应多种环境条件。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
7. 薄型封装（ThinPAK-8），节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。
8. 支持高频开关操作，适用于现代高效能电源解决方案。
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 负载点转换器（POL）
4. 电机驱动控制
5. 电池管理与保护
6. 工业自动化中的功率级电路
7. 消费类电子产品的功率模块
8. 通信设备中的功率放大与调节
IRF7467TRPBF, IRF7468TRPBF, SiA447DJ
