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IRF7464TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 20:39:18 查看 阅读:3

IRF7464TRPBF是英飞凌(Infineon)推出的一款N沟道增强型MOSFET,采用TOLL封装形式。该器件适用于高频开关应用和高效功率转换场景,具有低导通电阻、快速开关速度和高效率的特点。其出色的电气性能使其在电信、服务器电源、工业电机驱动以及太阳能逆变器等领域中表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:129A
  导通电阻:1.2mΩ
  总栅极电荷:135nC
  输入电容:2780pF
  输出电容:1070pF
  反向传输电容:450pF
  工作结温范围:-55℃至175℃

特性

IRF7464TRPBF是一款专为高性能功率应用设计的MOSFET。
  首先,它具备非常低的导通电阻(仅1.2mΩ),这使得其传导损耗显著降低,在大电流应用中表现尤为突出。
  其次,其快速的开关特性得益于较低的总栅极电荷(135nC),从而减少了开关损耗并提高了系统效率。
  此外,该器件的工作结温范围宽广(-55℃至175℃),能够适应极端环境条件下的应用需求。
  TOLL封装形式不仅提升了散热性能,还增强了产品的机械强度,非常适合高密度和高可靠性要求的场景。
  最后,其优化的设计支持高频开关操作,非常适合同步整流、DC-DC转换器以及其他高效的功率转换应用。

应用

IRF7464TRPBF广泛应用于需要高效功率转换的领域。
  典型应用场景包括但不限于:
  1. 电信基础设施中的高效电源解决方案。
  2. 数据中心和服务器的电源模块。
  3. 工业设备中的电机驱动控制。
  4. 太阳能逆变器中的功率转换部分。
  5. 高频DC-DC转换器及同步整流电路。
  由于其低导通电阻和快速开关特性,该器件特别适合于高电流、高效率的需求场景。

替代型号

IRFH7464TRPBF

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IRF7464TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C730 毫欧 @ 720mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7464PBFTRIRF7464TRPBF-NDIRF7464TRPBFTR-ND