时间：2025/9/2 7:29:13
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HY5S7B6LFP-HE 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于低功耗DDR4 SDRAM（LPDDR4）类别，适用于需要高带宽、低功耗和小尺寸封装的便携式电子设备，如智能手机、平板电脑和嵌入式系统。
类型：DRAM
规格：4GB (512M x 8)
封装：130-ball BGA
工作温度：-40°C 至 +85°C
电压：1.1V（VDD）
接口：LPDDR4
时钟频率：最高3200Mbps
数据速率：3200 Mbps
组织结构：x8
HY5S7B6LFP-HE 采用先进的DRAM技术和低功耗架构设计，具备出色的性能和能效比。该芯片支持多种节能模式，包括深度掉电模式和自刷新模式，从而在不同使用场景下最大限度地降低功耗。其封装形式为130-ball BGA，适合空间受限的高密度电路板布局。
这款LPDDR4内存芯片具有较高的数据传输速率，可达3200Mbps，显著提升设备的数据处理能力。此外，它具备良好的稳定性和兼容性，能够适应多种主控芯片和系统架构。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种工业和消费级应用场景中使用。
在功能方面，HY5S7B6LFP-HE 支持突发长度（Burst Length）为16，允许更高效的数据传输。它还具备差分时钟信号、数据选通和时序控制功能，确保高速运行下的数据完整性与稳定性。此外，该芯片通过JEDEC标准认证，确保了其在各种设备中的可靠性和通用性。
HY5S7B6LFP-HE 主要应用于对性能和功耗有较高要求的移动和嵌入式设备中，如高端智能手机、平板电脑、可穿戴设备、车载信息系统、工业控制设备以及物联网（IoT）终端等。其低功耗特性使其非常适合用于电池供电设备，而高带宽特性则有助于提升设备的图形处理和多任务处理能力。
MT51J408ACFF-32A, K3UH70BMAG-ACLP, LPDDR4X-3200
