IPD90P04P4L04ATMA1 是一款高性能的功率 MOSFET,属于 Infineon Technologies 的 P 系列。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。其封装形式为 TO-Leadless(TOLL),能够有效提高散热性能并减少寄生电感的影响。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:90A
导通电阻:1.2mΩ
栅极电荷:85nC
输入电容:1360pF
反向恢复时间:75ns
工作温度范围:-55℃ 至 175℃
IPD90P04P4L04ATMA1 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升效率。
2. 高额定电流能力,可满足大功率应用场景的需求。
3. 快速开关性能,使得其在高频应用中表现出色。
4. 优化的热设计,确保器件能够在高温环境下稳定运行。
5. 强大的抗雪崩能力和短路耐受能力,提高了系统的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电路设计中。
这款功率 MOSFET 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC 转换器中的同步整流管或高端开关。
3. 电动汽车及混合动力汽车的电机控制器。
4. 工业自动化系统中的负载开关或保护电路。
5. 太阳能逆变器以及其他高效率能源转换装置。
6. 各种需要高效功率控制的消费类电子产品。
IPD90N04S4L04A, IRFH4727TRPBF, FDP9010