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IPD90P04P4L04ATMA1 发布时间 时间:2025/5/28 19:59:02 查看 阅读:10

IPD90P04P4L04ATMA1 是一款高性能的功率 MOSFET,属于 Infineon Technologies 的 P 系列。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适合应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。其封装形式为 TO-Leadless(TOLL),能够有效提高散热性能并减少寄生电感的影响。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:90A
  导通电阻:1.2mΩ
  栅极电荷:85nC
  输入电容:1360pF
  反向恢复时间:75ns
  工作温度范围:-55℃ 至 175℃

特性

IPD90P04P4L04ATMA1 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低功耗并提升效率。
  2. 高额定电流能力,可满足大功率应用场景的需求。
  3. 快速开关性能,使得其在高频应用中表现出色。
  4. 优化的热设计,确保器件能够在高温环境下稳定运行。
  5. 强大的抗雪崩能力和短路耐受能力,提高了系统的可靠性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且易于集成到现代电路设计中。

应用

这款功率 MOSFET 广泛应用于多种电力电子设备中,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流管或高端开关。
  3. 电动汽车及混合动力汽车的电机控制器。
  4. 工业自动化系统中的负载开关或保护电路。
  5. 太阳能逆变器以及其他高效率能源转换装置。
  6. 各种需要高效功率控制的消费类电子产品。

替代型号

IPD90N04S4L04A, IRFH4727TRPBF, FDP9010

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IPD90P04P4L04ATMA1参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥23.13000剪切带(CT)2,500 : ¥10.57706卷带(TR)
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)90A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.3 毫欧 @ 90A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.2V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)176 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±16V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)11570 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)125W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO252-3-313
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63