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IRF7464 发布时间 时间:2025/12/24 4:27:04 查看 阅读:16

IRF7464是一种高性能的MOSFET功率晶体管,专为高频开关应用设计。它属于N沟道增强型场效应晶体管,采用先进的制造工艺,提供较低的导通电阻和较高的开关速度。该器件广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等领域。
  IRF7464具有出色的热特性和电气特性,能够在高频率下保持高效的性能。其优化的设计使其非常适合于需要快速开关和低损耗的应用场景。

参数

型号:IRF7464
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装形式:TO-220
  Vds(漏源极击穿电压):60V
  Rds(on)(导通电阻):3.5mΩ
  Id(连续漏极电流):80A
  栅极电荷:16nC
  工作温度范围:-55℃ to +175℃
  fT(特征频率):19MHz

特性

IRF7464具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),仅为3.5mΩ,能够有效减少导通损耗。
  2. 高电流处理能力,最大连续漏极电流可达80A。
  3. 快速开关性能,得益于较小的栅极电荷(16nC),适合高频应用。
  4. 较高的漏源极击穿电压(60V),确保在各种电压环境下可靠运行。
  5. 工作温度范围宽广,适应从极端低温到高温的工作条件。
  6. 优异的热稳定性,能有效降低因发热引起的性能下降。
  7. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子设备的需求。
  这些特性使得IRF7464成为高效功率转换和控制的理想选择。

应用

IRF7464主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC和DC-DC转换器。
  2. 各类电机驱动电路,例如无刷直流电机控制器。
  3. 电池管理系统(BMS),用于保护和监控电池组。
  4. 逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  5. 电动车及混合动力车中的功率控制模块。
  6. 工业自动化设备中的功率调节单元。
  由于其出色的性能,IRF7464特别适合需要高效能和高可靠性的应用场景。

替代型号

IRF7404, IRF7414

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IRF7464参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C730 毫欧 @ 720mA,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds280pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7464