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IRF7459TR 发布时间 时间:2025/5/20 9:16:29 查看 阅读:6

IRF7459TR是英飞凌(Infineon)生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用TOLL封装形式,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能功率转换应用。它主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  总栅极电荷:48nC
  输入电容:2450pF
  输出电容:1470pF
  反向传输电容:420pF
  工作温度范围:-55℃至175℃

特性

IRF7459TR是一款专为高效能功率应用设计的MOSFET。其主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可显著降低导通损耗。
  2. 高电流承载能力,能够支持高达38A的连续漏极电流。
  3. 快速开关性能,得益于较低的总栅极电荷(Qg)和反向恢复时间。
  4. 支持较宽的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  5. TOLL封装具备出色的热性能和电气性能,适合高密度组装。
  6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计。

应用

IRF7459TR适用于多种电力电子应用领域,包括但不限于:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
  3. 工业自动化设备中的功率转换模块。
  4. 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的车载充电器及DC-DC转换器。
  5. 高效DC-DC转换器设计,用于分布式电源系统。
  6. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。

替代型号

IRFH7459TRPbF

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IRF7459TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9 毫欧 @ 12A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs35nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2480pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)