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IRF7458TRPBF 发布时间 时间:2025/6/27 5:00:25 查看 阅读:4

IRF7458TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用 TO-263-3 封装形式,适合用于高效率开关电源、电机驱动、负载切换以及 DC/DC 转换器等应用。其低导通电阻和高电流能力使其成为高性能功率转换的理想选择。
  IRF7458TRPBF 的主要特点是具备出色的热性能和电气性能,同时支持表面贴装工艺,便于自动化生产。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:138A
  导通电阻:1.2mΩ
  总栅极电荷:128nC
  输入电容:3440pF
  输出电容:1950pF
  反向传输电容:750pF
  工作结温范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF7458TRPBF 的设计旨在实现高效率的功率转换和卓越的散热性能。其特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),确保在高电流应用中降低功耗。
  2. 较高的连续漏极电流能力,可满足大功率负载需求。
  3. 优化的栅极电荷设计,有助于提高开关速度并减少开关损耗。
  4. 支持表面贴装技术(SMD),简化了 PCB 设计和制造流程。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。
  6. 宽工作温度范围,适用于各种工业和汽车环境。

应用

IRF7458TRPBF 广泛应用于需要高效功率管理的领域,例如:
  1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
  2. 电机驱动电路,尤其是大电流直流无刷电机控制。
  3. 高功率负载切换模块。
  4. DC/DC 转换器及逆变器。
  5. 工业自动化设备中的功率级控制。
  6. 新能源系统中的电池管理系统(BMS)和能量转换单元。
  其高电流能力和低导通电阻特别适合要求高效率和快速响应的应用场景。

替代型号

IRF7407TRPBF, IRF7457TRPBF

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IRF7458TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 14A,16V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs59nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2410pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7458PBFTRIRF7458TRPBF-NDIRF7458TRPBFTR-ND