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IRFR5305TRLPBF 发布时间 时间:2025/6/16 19:39:16 查看 阅读:4

IRFR5305TRLPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 没道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 TO-263-3,也称为 DPAK 封装。这款 MOSFET 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种功率转换应用中。
  该器件的最大漏源电压(Vds)为 30V,连续漏极电流(Id)可达 21A,典型栅极电荷(Qg)为 18nC。这些特性使得 IRFR5305TRLPBF 成为高效功率转换的理想选择。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:21A
  脉冲漏极电流:74A
  栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
  总栅极电荷:18nC
  开关时间:开启延迟时间 20ns,上升时间 10ns,关闭延迟时间 29ns,下降时间 15ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高额定电流能力,支持大电流应用。
  3. 快速开关特性,适合高频开关应用。
  4. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
  5. 提供出色的热性能,确保在高温环境下的可靠性。
  6. 采用标准的 TO-263(DPAK)封装,便于安装和使用。
  7. 可靠性高,适用于工业级和汽车级应用。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电机驱动控制中的功率级元件。
  4. 电池保护电路中的电子开关。
  5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
  6. 汽车电子系统中的负载切换和功率转换。
  7. 各种需要高性能功率开关的应用场景。

替代型号

IRF530N, IRF540N, IRFR5306G

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IRFR5305TRLPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 16A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1200pF @ 25V
  • 功率 - 最大110W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装带卷 (TR)