IRFR5305TRLPBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 没道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用 Trench 技术制造,具有低导通电阻和高开关速度的特点。其封装形式为 TO-263-3,也称为 DPAK 封装。这款 MOSFET 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动以及各种功率转换应用中。
该器件的最大漏源电压(Vds)为 30V,连续漏极电流(Id)可达 21A,典型栅极电荷(Qg)为 18nC。这些特性使得 IRFR5305TRLPBF 成为高效功率转换的理想选择。
最大漏源电压:30V
连续漏极电流:21A
脉冲漏极电流:74A
栅源电压:±20V
导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ
总栅极电荷:18nC
开关时间:开启延迟时间 20ns,上升时间 10ns,关闭延迟时间 29ns,下降时间 15ns
工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 高额定电流能力,支持大电流应用。
3. 快速开关特性,适合高频开关应用。
4. 符合 RoHS 标准,环保无铅。
5. 提供出色的热性能,确保在高温环境下的可靠性。
6. 采用标准的 TO-263(DPAK)封装,便于安装和使用。
7. 可靠性高,适用于工业级和汽车级应用。
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC-DC 转换器中的同步整流。
3. 电机驱动控制中的功率级元件。
4. 电池保护电路中的电子开关。
5. 工业自动化设备中的功率控制模块。
6. 汽车电子系统中的负载切换和功率转换。
7. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
IRF530N, IRF540N, IRFR5306G