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IRF7457TR 发布时间 时间:2025/4/30 14:51:14 查看 阅读:4

IRF7457TR是英飞凌(Infineon)公司生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于高效率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用。IRF7457TR采用TO-252 (DPAK) 封装形式,能够提供出色的散热性能。
  这款MOSFET以其快速开关速度和低栅极电荷特性而著称,有助于减少开关损耗并提高系统整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:39A
  导通电阻:1.5mΩ(典型值,当Vgs=10V时)
  栅极电荷:38nC(典型值)
  总功耗:18W
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRF7457TR是一款高性能的功率MOSFET,具备以下特点:
  1. 极低的导通电阻Rds(on),能够有效降低导通损耗,提升系统效率。
  2. 快速的开关速度,得益于其低栅极电荷设计,有助于减少开关过程中的能量损失。
  3. 高额定电流,使其适用于需要大电流输出的应用场景。
  4. 广泛的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠运行。
  5. TO-252封装提供良好的电气和热性能,便于PCB布局与安装。
  此外,该器件还具有高可靠性及长期稳定性,非常适合对效率和性能要求较高的工业和消费类电子设备。

应用

IRF7457TR主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括适配器、充电器和其他电力转换设备。
  2. DC-DC转换器,用于汽车电子、通信设备及工业控制。
  3. 电机驱动,支持各种类型的直流无刷电机和步进电机控制。
  4. 负载开关,在笔记本电脑、平板电脑及其他便携式设备中起到电路保护作用。
  5. 电池管理系统(BMS),实现高效充放电管理及过流保护功能。

替代型号

IRF7458TR, IRF7459TR

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IRF7457TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7 毫欧 @ 15A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs42nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3100pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)