时间：2025/5/12 10:20:11
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IRF7455TRPBF是一款由Vishay公司生产的N沟道功率MOSFET，采用TrenchFET技术制造。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特性，适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、同步整流、负载切换以及电池供电设备等。其封装形式为TO-263-3（D2PAK），具备出色的散热性能。
最大漏源电压：55V
连续漏极电流：58A
导通电阻（Rds(on)）：1.8mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC（典型值）
输入电容：1340pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
总功耗：140W
IRF7455TRPBF采用Vishay的第三代TrenchFET工艺，显著降低了导通电阻，从而提高了效率并减少了功率损耗。
该器件具有快速开关能力，能够有效降低开关损耗，非常适合高频应用环境。
其坚固的设计使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定性能，并且具备较高的雪崩击穿能力和短路耐受时间。
此外，IRF7455TRPBF还支持无铅焊接工艺，符合RoHS标准，满足现代环保要求。
该功率MOSFET广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于：
- DC-DC转换器中的主开关或同步整流开关
- 电信和网络设备中的负载切换
- 笔记本电脑和服务器电源管理
- 汽车电子中的电机驱动和电源控制
- 工业自动化中的功率转换系统
- 电池保护电路和充电管理系统
IRF7455TRPBF, IRF7455TRPBFQ, IRF7455
