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IRF7453TRPBF 发布时间 时间:2025/6/26 19:20:00 查看 阅读:5

IRF7453TRPBF 是一款由 Vishay 提供的 N 沫道场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种功率转换和电机驱动应用。其优异的性能使其在消费电子、工业控制以及通信设备等领域得到广泛应用。
  IRF7453TRPBF 的设计确保了更高的效率和可靠性,同时支持表面贴装技术(SMT),简化了制造工艺并提高了生产效率。

参数

型号:IRF7453TRPBF
  封装:TO-263
  VDS(漏源极击穿电压):60V
  RDS(on)(导通电阻,典型值):1.9mΩ
  ID(连续漏极电流):138A
  Qg(栅极电荷):28nC
  fT(截止频率):1.9MHz
  VGS(th)(栅极阈值电压):2.2V
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF7453TRPBF 具备以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 RDS(on),仅为 1.9mΩ,可有效降低导通损耗。
  2. 高电流承载能力,支持高达 138A 的连续漏极电流。
  3. 快速开关特性,栅极电荷 Qg 为 28nC,有助于减少开关损耗。
  4. 工作电压 VDS 高达 60V,适合多种中低压应用场景。
  5. 支持表面贴装技术(SMT),便于自动化生产和提高装配可靠性。
  6. 宽泛的工作温度范围(-55℃ 至 +150℃),能够在恶劣环境下保持稳定性能。
  7. 符合 RoHS 标准,环保且安全可靠。

应用

IRF7453TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和高频开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级控制。
  3. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换。
  4. 通信设备中的负载切换和信号调节。
  5. 消费类电子产品如笔记本电脑适配器、显示器电源等。
  6. 工业控制中的功率变换模块和逆变器设计。

替代型号

IRF7454TRPBF, IRF7455TRPBF

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IRF7453TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 1.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7453PBFTRIRF7453TRPBF-NDIRF7453TRPBFTR-ND