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IRF7453TR 发布时间 时间:2025/4/28 12:42:06 查看 阅读:3

IRF7453TR是英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道增强型MOSFET功率晶体管。该器件采用Trench技术制造,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等应用场合。
  IRF7453TR采用了TO-263封装形式,具有良好的散热性能,能够承受较高的电流和电压,同时具备优异的电气特性和可靠性。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:1.9mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:32nC(典型值)
  输入电容:1640pF(典型值)
  开关时间:开通延迟时间:8ns(典型值),关断下降时间:25ns(典型值)
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

IRF7453TR是一款高性能的功率MOSFET,其主要特点包括:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),有助于降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用,减少开关损耗。
  3. 较低的栅极电荷(Qg),可降低驱动电路的功耗。
  4. 具有出色的热稳定性和鲁棒性,确保在恶劣环境下的可靠运行。
  5. 小型化封装设计,便于PCB布局并提供高效的散热性能。
  6. 支持大电流传输,能够满足高功率应用需求。

应用

IRF7453TR广泛应用于各种电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的功率级开关。
  2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关元件。
  3. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动。
  4. 各类负载切换电路,如电池保护和配电系统。
  5. 能量回收和逆变器应用。
  6. 汽车电子系统中的电源管理模块。

替代型号

IRF7453TR的替代型号包括IRF7452TR、IRF7454TR以及来自其他厂商的类似规格产品,例如ON Semiconductor的NTMFS4C62NL或STMicroelectronics的STMFP18N60C3。

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IRF7453TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)250V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C230 毫欧 @ 1.3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)