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IRF7452TRPBF 发布时间 时间:2025/4/29 12:50:03 查看 阅读:6

IRF7452TRPBF 是一款高性能的 N 沤道功率 MOSFET,采用 PQFN3x3-8L 封装。该器件具有极低的导通电阻和快速开关特性,专为高频应用而设计,例如 DC-DC 转换器、负载点转换器 (POL) 和同步整流电路等。其优化的栅极电荷和低反向恢复电荷使其成为高效率功率转换的理想选择。
  该器件支持高达 30V 的工作电压,并具备出色的热性能和电流处理能力,从而在紧凑的设计中提供卓越的性能。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻(典型值):3.5mΩ
  栅极电荷(典型值):6.9nC
  总栅极电荷:7.7nC
  反向恢复电荷:1.5nC
  结温范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:PQFN3x3-8L

特性

IRF7452TRPBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于降低传导损耗,提高整体效率。
  2. 快速开关性能,得益于优化的栅极电荷和反向恢复电荷,适用于高频应用。
  3. 紧凑型 PQFN3x3-8L 封装,节省 PCB 空间,同时提供良好的散热性能。
  4. 高电流处理能力,适合大功率密度的应用场景。
  5. 支持较宽的结温范围 (-55°C 至 150°C),能够在严苛环境下可靠运行。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代电子产品的合规性要求。

应用

IRF7452TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流和功率级控制。
  2. DC-DC 转换器,包括降压、升压和升降压拓扑。
  3. 负载点转换器 (POL) 和分布式电源架构中的功率管理。
  4. 工业设备中的电机驱动和逆变器控制。
  5. 便携式电子产品和通信设备中的高效功率转换。
  6. 计算机和服务器中的 VRM (电压调节模块) 应用。

替代型号

IRF7401TRPBF, IRF7453TRPBF

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IRF7452TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 2.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7452PBFTR