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IRF7452TR 发布时间 时间:2025/4/30 16:04:10 查看 阅读:17

IRF7452TR是一款由Infineon(英飞凌)推出的N沟道增强型MOSFET晶体管。该器件采用了Trench技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的应用场景。
  这款MOSFET的工作电压范围为60V,适合在中小功率系统中使用。其出色的动态性能和热稳定性使其成为许多功率电子应用的理想选择。

参数

最大漏源电压(Vds):60V
  连续漏极电流(Id):39A
  导通电阻(Rds(on)):2.8mΩ
  栅极电荷(Qg):41nC
  输入电容(Ciss):2190pF
  总电荷量(Qtot):64nC
  功耗(PD):215W
  工作温度范围(Tj):-55℃ to 175℃
  封装形式:TO-220FP

特性

IRF7452TR具备低导通电阻的特点,这有助于降低传导损耗并提升效率。同时,该器件拥有较小的栅极电荷,可实现快速的开关动作,减少开关损耗。
  此外,其较高的雪崩击穿能力和热稳定性确保了在极端条件下依然能够可靠运行。由于采用了先进的制造工艺,IRF7452TR还具有较强的抗电磁干扰能力,适用于复杂环境中的电路设计。
  该器件支持多种保护功能的集成,例如过流保护和短路保护,进一步增强了系统的安全性。其紧凑的封装形式也使得它非常适合空间受限的应用场合。

应用

IRF7452TR广泛应用于各类功率转换和控制领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电机驱动与控制
  3. DC-DC转换器
  4. UPS不间断电源
  5. 工业自动化设备
  6. 汽车电子系统中的负载切换
  7. LED照明驱动电路
  由于其高性能和可靠性,该器件在消费类电子产品、工业设备以及汽车电子等领域都有广泛应用。

替代型号

IRF7453TR, IRF7451TR, IRF7450TR

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IRF7452TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C60 毫欧 @ 2.7A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs50nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds930pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)