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AO4438 发布时间 时间:2025/5/8 18:48:09 查看 阅读:8

AO4438是一款由Alpha and Omega Semiconductor(AOS)生产的N沟道增强型MOSFET。该器件采用超小型DFN2x2-8封装,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于消费电子、通信设备以及工业应用中的高效能电源管理场景。
  AO4438设计用于降低功耗并提高效率,其典型应用场景包括DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路及多相供电系统等。该器件支持高达40V的工作电压,并具备出色的热稳定性和可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:7.6A
  导通电阻(Rds(on)):5.5mΩ(在Vgs=10V时)
  栅极电荷:12nC
  开关速度:快速开关
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:DFN2x2-8

特性

AO4438的低导通电阻使其非常适合要求高效率的应用场合。其小型化的DFN2x2-8封装不仅节省了PCB空间,还提升了散热性能。
  该器件的栅极驱动兼容性良好,能够与各类PWM控制器配合使用。此外,它还具备优秀的抗雪崩能力和静电防护功能,确保在复杂环境下的稳定运行。
  由于其快速开关特性,AO4438可以有效减少开关损耗,同时优化EMI表现,从而满足现代电子设备对高效和低噪声的要求。

应用

AO4438广泛应用于多种领域,包括但不限于:
  - DC-DC转换器中的功率开关
  - 笔记本电脑和平板电脑的负载开关
  - 智能手机和其他便携式设备的电池保护电路
  - 多相供电系统的功率级开关
  - 各类高效能电源管理模块
  凭借其高性能和紧凑尺寸,AO4438成为众多工程师设计高效电源解决方案时的理想选择。

替代型号

AOZ4438, IRF7822, FDMQ8209

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AO4438参数

  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.2A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 8.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds2300pF @ 30V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称785-1032-6