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IRF7450TRPBF 发布时间 时间:2025/6/20 9:39:20 查看 阅读:3

IRF7450TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件采用TO-263-3封装形式,适合高频开关应用和功率转换电路。其低导通电阻和高电流处理能力使其在电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等领域表现出色。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:89A
  导通电阻:1.8mΩ
  总功耗:175W
  结温范围:-55℃至+175℃
  栅极电荷:84nC
  反向恢复时间:40ns

特性

IRF7450TRPBF具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高效率。同时,它具备快速开关速度和较低的栅极电荷,适用于高频工作条件。
  该器件的高电流承载能力和出色的热性能确保了其在严苛环境下的稳定运行。此外,其封装设计便于散热管理,进一步增强了可靠性。
  由于采用了先进的制造工艺,IRF7450TRPBF还具有较高的抗雪崩能力,能够在异常条件下保护电路免受损坏。

应用

这款MOSFET广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 电池管理系统(BMS)
  4. 电机驱动与控制
  5. 工业自动化设备
  6. 电信基础设施中的功率调节模块
  7. 汽车电子系统中的负载切换

替代型号

IRF7452TRPBF, IRF7451TRPBF

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IRF7450TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C170 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds940pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7450PBFTRIRF7450TRPBF-NDIRF7450TRPBFTR-ND