IRF7450TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay公司生产。该器件采用TO-263-3封装形式,适合高频开关应用和功率转换电路。其低导通电阻和高电流处理能力使其在电源管理、电机驱动以及DC-DC转换器等领域表现出色。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:89A
导通电阻:1.8mΩ
总功耗:175W
结温范围:-55℃至+175℃
栅极电荷:84nC
反向恢复时间:40ns
IRF7450TRPBF具有非常低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高效率。同时,它具备快速开关速度和较低的栅极电荷,适用于高频工作条件。
该器件的高电流承载能力和出色的热性能确保了其在严苛环境下的稳定运行。此外,其封装设计便于散热管理,进一步增强了可靠性。
由于采用了先进的制造工艺,IRF7450TRPBF还具有较高的抗雪崩能力,能够在异常条件下保护电路免受损坏。
这款MOSFET广泛应用于各种功率电子领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)
2. DC-DC转换器
3. 电池管理系统(BMS)
4. 电机驱动与控制
5. 工业自动化设备
6. 电信基础设施中的功率调节模块
7. 汽车电子系统中的负载切换
IRF7452TRPBF, IRF7451TRPBF