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IRF7450TR 发布时间 时间:2025/5/23 0:41:59 查看 阅读:21

IRF7450TR是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由国际整流器公司(International Rectifier,已被英飞凌收购)生产。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其采用TO-263封装形式,适合表面贴装技术(SMT),广泛应用于电源管理、电机驱动以及DC-DC转换等场景。
  IRF7450TR的额定电压为60V,能够处理较高的电流需求,并且在高频工作条件下保持较低的功耗。由于其优化的栅极电荷和输出电容参数,使其成为需要高效能功率转换电路的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:89A
  导通电阻(Rds(on)):2.5mΩ
  栅极电荷:15nC
  总电容(Ciss):1500pF
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-263

特性

IRF7450TR具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)):仅2.5mΩ,这有助于减少传导损耗,提升整体效率。
  2. 快速开关性能:通过优化栅极电荷(Qg)和输出电容(Coss),确保了高效的高频操作。
  3. 高电流承载能力:高达89A的连续漏极电流使其适用于大功率应用。
  4. 宽泛的工作温度范围:从-55℃到+175℃,适应多种环境条件。
  5. 表面贴装封装(TO-263):简化PCB设计和组装流程,同时提高可靠性。
  6. 热稳定性强:即使在高温环境下也能保持稳定的电气性能。

应用

IRF7450TR的主要应用领域包括:
  1. 开关电源(SMPS):用于DC-DC转换器、PWM控制器和其他功率调节电路。
  2. 电机驱动:支持高效步进电机、直流无刷电机(BLDC)以及其他类型的电机控制。
  3. 工业自动化设备:如变频器、伺服驱动器和工业控制器。
  4. 汽车电子系统:适用于车载充电器、电动助力转向(EPS)以及新能源汽车中的功率管理模块。
  5. 可再生能源系统:如太阳能逆变器和风能转换装置中的功率级组件。

替代型号

IRF7404TR, IRF7451TR, IRF7452TR

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IRF7450TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)200V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C170 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds940pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)