IRF7433是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Vishay制造。该器件采用先进的制程技术设计,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适合用于需要高效能和快速切换的应用场景。
IRF7433的封装形式为TO-252 (DPAK),具备出色的散热性能,同时其额定电压和电流使其非常适合于中等功率级别的电路应用。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:29A
导通电阻:8.5mΩ(在Vgs=10V时)
总功耗:100W
工作温度范围:-55°C至+175°C
栅极电荷:36nC
IRF7433的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力,能够支持高频应用。
3. 具备强大的雪崩能力和鲁棒性,可以在恶劣条件下稳定工作。
4. TO-252封装提供良好的热性能和电气连接可靠性。
5. 适用于多种工业、汽车及消费类电子应用,包括电源管理、电机驱动和DC-DC转换器等。
IRF7433广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
2. DC-DC转换器和负载点(POL)转换器。
3. 电池充电器和便携式设备电源管理。
4. 各种类型的电机驱动电路。
5. 汽车电子系统中的功率控制模块。
6. LED照明驱动器和其他需要高效功率转换的场合。
IRF7404, IRF7407, IRF7410