您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7433

IRF7433 发布时间 时间:2025/4/29 11:59:29 查看 阅读:2

IRF7433是一款N沟道增强型功率MOSFET,由Vishay制造。该器件采用先进的制程技术设计,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点,适合用于需要高效能和快速切换的应用场景。
  IRF7433的封装形式为TO-252 (DPAK),具备出色的散热性能,同时其额定电压和电流使其非常适合于中等功率级别的电路应用。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:29A
  导通电阻:8.5mΩ(在Vgs=10V时)
  总功耗:100W
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  栅极电荷:36nC

特性

IRF7433的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,能够支持高频应用。
  3. 具备强大的雪崩能力和鲁棒性,可以在恶劣条件下稳定工作。
  4. TO-252封装提供良好的热性能和电气连接可靠性。
  5. 适用于多种工业、汽车及消费类电子应用,包括电源管理、电机驱动和DC-DC转换器等。

应用

IRF7433广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和功率因数校正(PFC)。
  2. DC-DC转换器和负载点(POL)转换器。
  3. 电池充电器和便携式设备电源管理。
  4. 各种类型的电机驱动电路。
  5. 汽车电子系统中的功率控制模块。
  6. LED照明驱动器和其他需要高效功率转换的场合。

替代型号

IRF7404, IRF7407, IRF7410

IRF7433推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7433资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF7433参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C24 毫欧 @ 8.7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)900mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1877pF @ 10V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件