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IRF7424TRPBF 发布时间 时间:2025/5/23 21:39:27 查看 阅读:5

IRF7424TRPBF 是一款由 Vishay 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TOLL 封装。这款器件专门设计用于高功率密度和高效能应用场合。其先进的工艺技术和优化的封装结构使得 IRF7424TRPBF 具有极低的导通电阻(Rds(on)),同时具备出色的开关性能和热特性。广泛应用于服务器、通信设备、电机驱动以及 DC-DC 转换器等场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:81A
  导通电阻:1.3mΩ
  栅极电荷:97nC
  总电容:3540pF
  功耗:436W
  工作温度范围:-55℃ to 175℃

特性

IRF7424TRPBF 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升系统效率。
  2. 高额定电流能力,使其适用于各种高功率应用场景。
  3. 采用 TOLL 封装形式,这种封装具有较低的热阻和电气寄生效应,从而提高了散热性能和整体可靠性。
  4. 快速开关速度,有助于减少开关损耗。
  5. 提供了卓越的热稳定性和抗雪崩能力,增强了器件在极端条件下的耐用性。
  6. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代工业需求。

应用

IRF7424TRPBF 广泛应用于需要高效率和大电流处理能力的场景中,具体应用领域包括:
  1. 电信和网络设备中的电源管理。
  2. 数据中心和服务器系统的供电模块。
  3. 高效 DC-DC 转换器的设计。
  4. 工业自动化控制中的电机驱动电路。
  5. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
  6. 各种类型的大功率负载切换应用。

替代型号

IRF7418TRPBF, IRF7422TRPBF

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IRF7424TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C13.5 毫欧 @ 11A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs110nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4030pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7424PBFTRIRF7424TRPBF-NDIRF7424TRPBFTR-ND