类型：离线式反激控制器
　　拓扑结构：反激式
　　控制模式：准谐振（QR）/DCM/CCM混合模式
　　集成开关：750V PowiGaN功率开关
　　启动电压：12 V
　　工作电压范围：9 V 至 21 V
　　待机电流：< 30 μA
　　输出功率范围：最高约90 W
　　反馈方式：FluxLink磁感通信（无光耦）
　　封装形式：InSOP-24D
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　保护功能：过压、过流、过温、开环保护
　　同步整流驱动：支持次级侧SR驱动
　　可调开关频率：100 kHz ±15%
　　音频噪声抑制：具备频率抖动功能

ISP815采用先进的PowiGaN技术，集成了750V氮化镓（GaN）功率开关，相较于传统的硅基MOSFET，具有更低的导通电阻和开关损耗，从而显著提升电源系统的整体效率，尤其是在高频率工作条件下表现优异。这一特性使得ISP815非常适合用于追求小型化和高能效的快充适配器设计。此外，该器件支持宽输入电压范围，能够适应全球各种交流电网环境，从通用输入（85VAC至265VAC）到高压直流输入均可稳定运行。
　　该芯片内置了多模式控制引擎，可根据负载情况自动切换准谐振（QR）、断续导通模式（DCM）和连续导通模式（CCM），在轻载时进入突发模式以降低待机功耗，在重载时则启用QR模式以提高效率并减少EMI辐射。这种智能调节机制不仅优化了全负载范围内的能效表现，还有效避免了传统固定频率控制器在轻载下效率骤降的问题。
　　ISP815使用FluxLink?双向磁感通信技术实现初级与次级之间的高速、可靠信号传输，无需光耦即可完成精确的输出电压和电流调节，这不仅简化了电路设计，减少了元器件数量，还提高了长期工作的可靠性，避免了光耦老化导致的性能下降问题。同时，该技术允许实现紧致的瞬态响应和±1%的输出电压精度。
　　器件具备全面的保护机制，包括输入过压/欠压锁定、输出过压保护（OVP）、过流保护（OCP）、过温保护（OTP）以及开环故障检测。一旦发生异常，系统会立即切断输出并尝试自动恢复或锁存关断，确保用户设备安全。此外，InSOP-24D封装提供了增强的爬电距离和电气隔离性能，满足IEC 60950和IEC 62368等安规标准要求，适用于医疗、工业及消费类电子产品。

ISP815广泛应用于高性能、高能效的电源适配器和充电器设计中，尤其适用于USB PD快充、笔记本电脑适配器、显示器电源、智能家居控制模块、工业传感器供电单元以及电信设备中的板载电源系统。由于其高集成度和无需光耦的设计特点，特别适合对空间紧凑性和可靠性要求较高的应用场景。例如，在65W至90W的单路或多路输出USB-C PD电源中，ISP815可以配合次级同步整流控制器构建高效、低待机功耗的完整电源方案。此外，该芯片也适用于需要满足严苛能效标准（如DoE Level VI、EU CoC Tier 2）的产品设计，能够在全负载范围内保持高于90%的转换效率，并将空载功耗控制在30mW以下。其出色的热管理和EMI抑制能力使其在密闭外壳或自然散热条件下仍能稳定运行，因此也被用于LED驱动电源、网络路由器电源及IoT网关设备中。

INN3370C, INN3270C, PI78XX