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IRF7422D2TR 发布时间 时间:2025/5/9 18:41:56 查看 阅读:7

IRF7422D2TR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,能够以较低的栅极驱动电压实现高效导通和开关性能。它通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载切换等应用中。
  IRF7422D2TR 的封装形式为 DPAK(TO-252),具有良好的散热特性和紧凑的外形,适合空间受限的应用场景。其低导通电阻特性有助于降低功率损耗并提高整体效率。

参数

最大漏源电压:60V
  最大连续漏极电流:16A
  最大栅源电压:±20V
  典型导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
  总功耗:89W
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  封装类型:DPAK(TO-252)

特性

IRF7422D2TR 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),有效减少导通损耗,提升系统效率。
  2. 支持逻辑电平驱动,最低开启电压为 4V(典型值),便于与现代微控制器或逻辑电路配合使用。
  3. 高雪崩能量能力,确保在异常情况下仍能保持可靠性。
  4. 快速开关速度,减少开关损耗,适用于高频应用。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
  6. 经过优化的热性能设计,即使在高功率条件下也能提供稳定的运行表现。

应用

IRF7422D2TR 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
  2. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压和反激拓扑。
  3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
  4. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
  5. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
  6. 可再生能源系统中的逆变器和功率调节模块。

替代型号

IRF7422PbF, IRF7422TR

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IRF7422D2TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FETKY™
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.2A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds610pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)