IRF7422D2TR 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,能够以较低的栅极驱动电压实现高效导通和开关性能。它通常用于开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和负载切换等应用中。
IRF7422D2TR 的封装形式为 DPAK(TO-252),具有良好的散热特性和紧凑的外形,适合空间受限的应用场景。其低导通电阻特性有助于降低功率损耗并提高整体效率。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:16A
最大栅源电压:±20V
典型导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ(在 Vgs=10V 时)
总功耗:89W
工作结温范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:DPAK(TO-252)
IRF7422D2TR 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),有效减少导通损耗,提升系统效率。
2. 支持逻辑电平驱动,最低开启电压为 4V(典型值),便于与现代微控制器或逻辑电路配合使用。
3. 高雪崩能量能力,确保在异常情况下仍能保持可靠性。
4. 快速开关速度,减少开关损耗,适用于高频应用。
5. 符合 RoHS 标准,环保且支持无铅焊接工艺。
6. 经过优化的热性能设计,即使在高功率条件下也能提供稳定的运行表现。
IRF7422D2TR 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换级。
2. 各类 DC-DC 转换器,包括降压、升压和反激拓扑。
3. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制开关。
4. 电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路。
5. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
6. 可再生能源系统中的逆变器和功率调节模块。
IRF7422PbF, IRF7422TR