FDS6644-NL 是一款由 Fairchild Semiconductor(现为 ON Semiconductor)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 SO-8 封装,广泛应用于需要高效率和低功耗的电路中。其低导通电阻特性使其特别适合于开关电源、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等应用。
该器件的工作电压范围较广,具有良好的电气特性和热性能,非常适合要求高效能和高可靠性的电子系统。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:4.3A
导通电阻:45mΩ
总栅极电荷:13nC
开关速度:快速
封装形式:SO-8
FDS6644-NL 具有以下主要特性:
1. 低导通电阻(Rds(on)),可显著降低传导损耗,提升整体效率。
2. 快速开关能力,支持高频操作,适用于高频 DC-DC 转换器。
3. 较低的栅极电荷,有助于减少驱动损耗。
4. 高雪崩耐量能力,提升了器件在异常情况下的可靠性。
5. 紧凑的 SO-8 封装,便于 PCB 布局设计。
6. 工作温度范围宽(-55°C 至 +150°C),适应各种环境条件。
FDS6644-NL 的这些特点使其成为众多功率管理应用的理想选择。
FDS6644-NL 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC 转换器,尤其是降压转换器。
3. 负载开关,用于电池供电设备。
4. 电机驱动电路,控制小型直流电机。
5. 便携式电子产品中的功率管理。
6. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。
由于其高效的性能和紧凑的封装,FDS6644-NL 在消费类电子产品、通信设备及工业控制领域都有广泛应用。
FDS6672, FDN337N, IRLML6402