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IRF7421D1 发布时间 时间:2025/6/5 20:41:02 查看 阅读:9

IRF7421D1是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的MOSFET功率晶体管。该器件采用了Trench技术,具有较低的导通电阻和较高的开关速度,非常适合用于高效率、高频开关应用中。
  IRF7421D1属于OptiMOS系列,其主要设计目的是为了满足工业、消费电子及汽车领域对高效能功率转换的需求。它采用TO-263-3封装形式(也称为DPAK),便于散热管理并简化了PCB布局设计。

参数

最大漏源电压:55V
  连续漏极电流:28A
  导通电阻:1.0mΩ
  栅极电荷:9nC
  总电容:1150pF
  功耗:10W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

IRF7421D1具备非常低的导通电阻,仅为1.0mΩ,这有助于降低传导损耗并提升系统效率。同时,它的栅极电荷较小(9nC),使得驱动电路更加简单且功耗更低。
  此外,这款器件支持高达175°C的工作温度范围,适用于恶劣环境下的应用。其高频性能使其成为DC-DC转换器、同步整流以及电机驱动等场合的理想选择。
  由于采用了优化后的沟槽式结构,IRF7421D1在动态特性和静态特性之间实现了良好的平衡,从而能够提供出色的可靠性和耐用性。

应用

IRF7421D1广泛应用于各种需要高效功率转换的场景中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. DC-DC转换器
  3. 同步整流电路
  4. 电机驱动与控制
  5. 电池管理系统(BMS)
  6. 工业自动化设备
  7. 汽车电子系统中的负载切换
  8. LED照明驱动电路

替代型号

IRF7401, IRF7420, Infineon BSC018N06NS

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IRF7421D1参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列FETKY™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点二极管(隔离式)
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 4.1A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件
  • 其它名称*IRF7421D1