型号：IRF7402UTRPBF
　　类型：P沟道增强型MOSFET
　　封装：uT-DSON-8 (PowerSO-8)
　　通道数：双通道
　　漏源电压(VDS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-5.3A（单通道，TC=25°C）
　　脉冲漏极电流(IDM)：-14A
　　导通电阻(RDS(on))：最大32mΩ（@ VGS = -4.5V, ID = -2.7A）；最大23mΩ（@ VGS = -6V, ID = -3A）
　　阈值电压(Vth)：典型值-1.1V，范围-0.8V至-1.5V
　　输入电容(Ciss)：约520pF（@ VDS=10V）
　　开启延迟时间(td(on))：约8ns
　　关断延迟时间(td(off))：约22ns
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　热阻结到外壳(RθJC)：约20°C/W
　　功率耗散(PD)：约2.5W（TC=25°C）

IRF7402UTRPBF采用英飞凌先进的沟槽技术，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势在于低RDS(on)，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了整体能效，特别适合用于电池供电系统以延长续航时间。器件的栅极结构经过优化，可在低至-4.5V的栅源电压下充分导通，因此可直接由常见的3.3V或5V逻辑信号驱动，无需额外的电平转换电路，简化了设计并减少了外围元件数量。双通道配置使得两个独立的P-MOSFET集成于单一芯片上，有效节省PCB布局空间，适用于高密度组装的移动设备和便携式仪器。
　　该器件具备出色的热稳定性和散热能力，得益于uT-DSON-8封装底部带有裸露焊盘的设计，能够通过PCB上的接地层高效地将热量传导出去，从而降低结温上升幅度，提高长期运行的可靠性。此外，IRF7402UTRPBF内部寄生二极管具有良好的反向恢复特性，能在感性负载切换过程中提供可靠的续流路径，减少电压尖峰带来的风险。器件还通过了严格的AEC-Q101车规认证，表明其在温度循环、机械振动和电气应力等方面的耐久性达到汽车级标准，可用于车载信息娱乐系统或车身控制模块等严苛环境。
　　另一个关键特性是其高度一致的器件匹配性，在双通道之间具有非常接近的电气参数，确保在并联使用或多路控制时电流分配均匀，避免局部过热问题。同时，该MOSFET具有较低的输入和输出电容，有助于减少开关过程中的动态损耗，提升高频工作的效率。内置的静电放电（ESD）保护结构增强了器件在装配和现场操作中的抗干扰能力，降低了因人为操作不当导致损坏的风险。总体而言，IRF7402UTRPBF是一款集高性能、小型化、高可靠性和易用性于一体的先进功率MOSFET解决方案。

IRF7402UTRPBF广泛应用于需要高效、紧凑电源管理方案的各类电子系统中。典型应用场景包括便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源路径管理与电池开关控制。在这些设备中，它常被用作主电源的通断控制，实现快速响应的待机/唤醒功能，同时最大限度地减少静态功耗。此外，该器件也适用于各种DC-DC转换拓扑结构，例如同步降压变换器中的高端开关元件，配合N沟道MOSFET构成互补驱动架构，提升转换效率。
　　在工业控制系统中，IRF7402UTRPBF可用于传感器供电管理、继电器驱动接口和I/O端口保护电路，凭借其快速开关能力和稳定的电气特性，保障系统的实时响应和长期运行稳定性。在通信设备领域，该器件可作为热插拔电路中的负载开关，防止带电插拔引起的电流冲击，保护主板电源总线免受损坏。汽车电子方面，由于通过AEC-Q101认证，它可用于车载摄像头电源管理、LED照明调光驱动以及车载充电器内的电压调节模块。
　　此外，该器件还适用于USB电源开关、LDO旁路控制、多电源选择电路（如主辅电池切换）、电机驱动中的H桥上臂开关等多种功能模块。其小尺寸封装非常适合自动化贴片生产，满足现代电子产品对微型化和高集成度的需求。结合其宽泛的工作温度范围和良好的抗噪声能力，IRF7402UTRPBF能够在恶劣环境下稳定工作，是多种中低功率电源开关应用的理想选择。

Si3496DV-T1-GE3
　　TPS22965YFPR
　　FDC6322P