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IRF7402TRPBF 发布时间 时间:2025/6/18 16:32:02 查看 阅读:4

IRF7402TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,由Vishay公司生产。该器件采用TSSOP-6封装形式,主要用于需要高效率和低功耗的应用场合。其设计优化了导通电阻和栅极电荷,从而提高了功率转换效率并降低了开关损耗。
  该型号适用于多种电源管理场景,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换等。通过其出色的电气特性和热性能,IRF7402TRPBF在中小功率应用中表现出色。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:3.9A
  导通电阻(Rds(on)):80mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  总栅极电荷:6nC
  工作结温范围:-55℃至+150℃
  封装形式:TSSOP-6

特性

IRF7402TRPBF具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 低栅极电荷和输出电荷,支持高频开关操作。
  3. 提供优异的热稳定性和可靠性,能够适应严苛的工作环境。
  4. 小巧的TSSOP-6封装,节省电路板空间,适合高密度设计。
  5. 内置反向二极管,简化电路设计并增强功能灵活性。
  这些特点使得IRF7402TRPBF非常适合用于高效能、紧凑型的电子设备中。

应用

IRF7402TRPBF广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
  2. 各种电池供电设备中的负载切换。
  3. DC-DC转换器和同步整流电路。
  4. 便携式电子产品中的电机驱动控制。
  5. LED驱动器和其他低功率电源管理系统。
  由于其紧凑的尺寸和优秀的电气性能,这款MOSFET特别适合对空间和能耗要求较高的应用。

替代型号

IRF7401TRPBF, IRF7403TRPBF

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IRF7402TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C35 毫欧 @ 4.1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds650pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7402PBFTRIRF7402TRPBF-NDIRF7402TRPBFTR-ND