IRF7402TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,由Vishay公司生产。该器件采用TSSOP-6封装形式,主要用于需要高效率和低功耗的应用场合。其设计优化了导通电阻和栅极电荷,从而提高了功率转换效率并降低了开关损耗。
该型号适用于多种电源管理场景,例如DC-DC转换器、电机驱动、负载切换等。通过其出色的电气特性和热性能,IRF7402TRPBF在中小功率应用中表现出色。
最大漏源电压:55V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:3.9A
导通电阻(Rds(on)):80mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总栅极电荷:6nC
工作结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:TSSOP-6
IRF7402TRPBF具有以下显著特性:
1. 低导通电阻,有助于减少传导损耗,提升系统效率。
2. 低栅极电荷和输出电荷,支持高频开关操作。
3. 提供优异的热稳定性和可靠性,能够适应严苛的工作环境。
4. 小巧的TSSOP-6封装,节省电路板空间,适合高密度设计。
5. 内置反向二极管,简化电路设计并增强功能灵活性。
这些特点使得IRF7402TRPBF非常适合用于高效能、紧凑型的电子设备中。
IRF7402TRPBF广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换。
2. 各种电池供电设备中的负载切换。
3. DC-DC转换器和同步整流电路。
4. 便携式电子产品中的电机驱动控制。
5. LED驱动器和其他低功率电源管理系统。
由于其紧凑的尺寸和优秀的电气性能,这款MOSFET特别适合对空间和能耗要求较高的应用。
IRF7401TRPBF, IRF7403TRPBF