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IRF7401TRPBF 发布时间 时间:2025/5/23 3:21:28 查看 阅读:5

IRF7401TRPBF 是一款高性能的 N 沱道增强型 MOSFET,由 Vishay International 公司生产。该器件采用先进的制造工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于需要高效功率转换的应用场景。其封装形式为 TO-263-3,适合表面贴装技术 (SMT) 工艺。
  IRF7401TRPBF 常用于 DC-DC 转换器、电机驱动、逆变器以及其他功率管理电路中,能够提供高效的电流控制和稳定的性能表现。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:78A
  导通电阻(典型值):1.2mΩ
  总栅极电荷:85nC
  最大功耗:250W
  工作温度范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-263-3

特性

IRF7401TRPBF 的主要特点是其超低的导通电阻,这使其在高电流应用中能够显著减少功率损耗并提高效率。
  此外,该器件还具备以下特性:
  - 高开关速度,有助于降低开关损耗。
  - 热稳定性强,能够在高温环境下长期可靠运行。
  - 封装紧凑,适合现代电子设备对小型化的需求。
  - 内置反向二极管,进一步优化了其在同步整流和续流回路中的表现。
  这些特点使得 IRF7401TRPBF 成为众多工业和汽车级应用的理想选择。

应用

IRF7401TRPBF 广泛应用于以下领域:
  - 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
  - 电机驱动和控制
  - 电池管理系统 (BMS)
  - 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的功率模块
  - 工业自动化和机器人技术中的功率控制
  - 太阳能逆变器和其他可再生能源系统
  由于其出色的性能和可靠性,该器件特别适合要求高效率和高功率密度的设计。

替代型号

IRF7402TRPBF, IRF7403TRPBF

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IRF7401TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C22 毫欧 @ 4.1A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1600pF @ 15V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7401PBFTR