时间：2025/8/9 7:53:35
阅读：17
FMA25N50G 是由 Fairchild（飞兆半导体，现为安森美半导体的一部分）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，具有良好的导通特性和较低的开关损耗。该MOSFET采用TO-263（D2PAK）封装形式，便于散热和表面贴装，适用于中高功率的电源系统。FMA25N50G的额定电压为500V，额定电流为25A，适合用于电源管理、DC-DC转换器、PFC（功率因数校正）电路、逆变器以及各种工业电源设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大连续漏极电流(Id)：25A
导通电阻(Rds(on))：0.22Ω @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
FMA25N50G 具备多项优异的电气和热性能特性，首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。其次，该器件具有较高的雪崩能量耐受能力，增强了在瞬态高压情况下的可靠性。此外，FMA25N50G的封装设计（TO-263）提供了良好的热管理性能，有助于在高功率应用中实现有效的散热。
该MOSFET的栅极驱动特性较为稳定，可在宽温度范围内保持一致的性能，且对栅极驱动电路的要求相对较低，适用于多种驱动电路拓扑。同时，其高dv/dt抗扰能力降低了在高频开关过程中误触发的风险，从而提升了系统的稳定性与安全性。
另外，FMA25N50G具有良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏，适用于需要高可靠性的工业和电源管理系统。
FMA25N50G 适用于多种功率电子系统，广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电池充电器、电机控制、照明驱动器以及功率因数校正（PFC）电路中。其高耐压和高电流能力使其特别适合用于中高功率的电源转换系统。此外，该MOSFET还可用于工业自动化设备、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器以及电动车充电模块等需要高效能功率管理的场合。由于其具备良好的热管理和高频响应能力，FMA25N50G也常被用于高频电源设计和紧凑型电源模块中。
FQA25N50C, FCP25N50, FDPF25N50
