您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IRF7379TR

IRF7379TR 发布时间 时间:2025/7/12 1:07:47 查看 阅读:12

IRF7379TR 是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用Trench技术制造,具备低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高效能的电源转换和电机驱动应用。IRF7379TR采用了TO-252 (DPAK) 封装形式,使其在紧凑设计中具有良好的散热性能。
  此MOSFET主要针对需要高频工作的场合进行了优化,并且可以承受一定的负载突变情况下的电流冲击,确保了其在严苛工作条件下的可靠性。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(典型值):8.5mΩ
  栅极电荷:24nC
  输入电容:1240pF
  开关时间:ton=14ns, toff=28ns
  总功耗:28W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF7379TR 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
  2. 快速开关速度,适合高频开关电源和DC-DC转换器的应用。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  4. 较小的封装体积,便于PCB布局设计和热管理。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
  6. 栅极阈值电压较低,可与逻辑电平直接兼容,简化了驱动电路的设计。
  7. 在动态和静态条件下均表现出色,满足多种工业和消费类电子需求。

应用

IRF7379TR广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS),包括适配器、充电器等。
  2. DC-DC转换器,特别是在汽车电子和通信设备中的使用。
  3. 电池保护电路,如电动工具、便携式设备中的过流保护。
  4. 电机驱动控制,例如小型直流电机或步进电机的驱动。
  5. LED照明驱动,提供高效的功率转换方案。
  6. 各种逆变器和不间断电源(UPS)系统。
  其高性能表现使得IRF7379TR成为许多要求高效率、高可靠性的应用场景的理想选择。

替代型号

IRF7379,
  IRL7379,
  STP16NF04LC,
  AO3400,
  FDP155AN

IRF7379TR推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IRF7379TR资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

IRF7379TR参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.8A,4.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C45 毫欧 @ 5.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds520pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)