型号：IRF7351TR
　　制造商：Infineon Technologies
　　器件类型：双通道MOSFET（P沟道 + N沟道）
　　封装类型：SO-8
　　最大漏源电压（VDS）：P沟道：-30V；N沟道：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：P沟道：-4.6A；N沟道：4.9A（TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：P沟道：-14A；N沟道：15A
　　导通电阻RDS(on)：P沟道：55mΩ @ VGS = -10V；N沟道：32mΩ @ VGS = 10V
　　阈值电压（VGS(th)）：P沟道：-1.0V ~ -2.5V；N沟道：1.0V ~ 2.5V
　　输入电容（Ciss）：P沟道：520pF；N沟道：600pF（f=1MHz）
　　功耗（PD）：1.25W（TA=25°C）
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C

IRF7351TR的特性之一是其互补型MOSFET结构设计，集成了高性能的P沟道与N沟道MOSFET于单一芯片上，这种集成方式不仅简化了PCB布局，还提高了功率转换效率。P沟道MOSFET具备-30V的最大漏源电压和低至55mΩ的导通电阻，在负压控制场景下表现出色，尤其适用于高端开关应用，无需复杂的驱动电路即可实现负载通断控制。与此同时，N沟道MOSFET具有30V耐压和仅32mΩ的RDS(on)，在相同尺寸器件中属于较低水平，有助于减少传导损耗，提升系统能效。该器件采用先进的沟槽栅极技术，有效降低了单位面积下的导通电阻，同时提升了电流密度和开关响应速度。其栅极氧化层经过优化处理，确保在±20V栅源电压范围内稳定工作，避免因过压导致的击穿风险。此外，IRF7351TR具备出色的热性能，通过优化封装散热路径，可在高达150°C的结温下持续运行，适应高温工业环境或密闭空间中的长期使用需求。器件内部还内置了体二极管，P沟道MOSFET的体二极管可提供反向电流路径，增强在感性负载切换时的安全性。该器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代绿色电子产品制造要求。由于其小型化的SO-8封装，IRF7351TR非常适合用于空间受限的应用场合，例如移动电源管理模块、USB供电控制、电池充放电切换电路等。另外，其快速开关能力减少了开关过程中的能量损耗，有助于提高DC-DC变换器的整体效率。在动态响应方面，输入电容较低，使得栅极驱动功耗小，兼容多种逻辑电平信号直接驱动，无需额外的电平转换电路，进一步简化系统设计。
　　

IRF7351TR广泛应用于需要高效、小型化电源管理解决方案的各类电子系统中。典型应用场景包括同步降压或升压转换器中的高端与低端开关配置，其中N沟道MOSFET作为主开关，P沟道用于辅助控制或反向电流阻断。在电池供电设备中，该器件常被用作理想二极管控制器或电池选择开关，实现多电源之间的无缝切换，防止反向充电并提高能源利用率。此外，在便携式消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，IRF7351TR可用于电源路径管理单元（PPMU），负责系统主电源与备用电池之间的切换控制。在USB Type-C和PD快充模块中，该器件也发挥着关键作用，用于控制VBUS通断、过流保护以及插拔检测后的电源使能操作。工业领域中，IRF7351TR可用于低功率电机驱动电路中的H桥拓扑结构，实现双向旋转控制。在服务器和通信设备的冗余电源系统中，该器件可用于OR-ing电路，确保多个电源输入之间不会相互干扰，同时自动选择最优电源输出。此外，它还可应用于LED背光驱动电路中的开关调节部分，利用其低导通电阻特性减少发热，提高亮度控制精度。在汽车电子系统中，尽管其电压等级不适合高压主驱系统，但在车载信息娱乐系统、仪表盘电源管理和车身控制模块等低压应用中仍具潜力。由于其良好的ESD防护能力和宽温工作范围，IRF7351TR也能胜任工业自动化传感器节点、IoT终端设备和智能家居控制器中的电源开关任务。
　　

SI7351DP-T1-GE3
　　AO7351