型号：WB3M200VD2TR1000
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：3.2A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：200V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：2.0Ω（最大值）
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN8

WB3M200VD2TR1000 具备多项优异特性，使其在功率MOSFET市场中脱颖而出。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为2.0Ω，有助于减少导通损耗，提高能效。其次，该器件的漏极-源极击穿电压达到200V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压应用。此外，其栅极-源极电压范围为±20V，确保了栅极驱动的稳定性和可靠性。
　　该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了载流子分布，从而降低了开关损耗，提高了整体效率。DFN8封装设计不仅节省了空间，还具备良好的散热性能，使得该MOSFET能够在较高的环境温度下稳定运行。此外，WB3M200VD2TR1000 还具备较高的抗雪崩能力和良好的短路耐受能力，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
　　在热性能方面，WB3M200VD2TR1000 的DFN封装提供了较低的热阻（RθJA），有助于将热量快速传递到PCB板上，从而避免过热损坏。其工作温度范围为-55°C至+150°C，适应了广泛的工业环境。综合来看，这款MOSFET在性能、效率和可靠性方面均表现出色，是高性能电源设计中的理想选择。

WB3M200VD2TR1000 适用于多种高电压和中功率应用，包括但不限于：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）、电机控制、工业自动化设备、LED照明驱动电路、电源适配器以及汽车电子系统等。其高耐压和低导通电阻的特性使其在需要高效能功率管理的场景中表现出色，特别是在空间受限的设计中，DFN封装的优势尤为明显。

SiHF20N20E, FQA20N20C, STF20N20