时间：2025/6/18 8:51:58
阅读：4
IRF7351是一款N沟道功率MOSFET，采用PQFN5x6封装形式。该器件主要用于需要高效率和低导通电阻的应用场合。IRF7351具有较低的导通电阻和栅极电荷，这使得它非常适合于高频开关应用，例如DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关等。此外，其出色的热性能也使其在紧凑型设计中表现优异。
最大漏源电压：40V
最大连续漏极电流：32A
导通电阻（Rds(on)）：2.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷：19nC（典型值）
总栅极电荷：24nC（最大值）
输入电容：1850pF（典型值）
反向恢复时间：35ns（典型值）
工作结温范围：-55℃至+175℃
IRF7351拥有非常低的导通电阻，从而降低了导通损耗并提高了系统效率。
它的栅极电荷较低，能够支持高频开关操作，减少开关损耗。
采用PQFN5x6封装，具有出色的散热性能和小尺寸优势，适用于空间受限的设计。
具备快速的开关速度和低反向恢复时间，减少了寄生效应的影响。
宽泛的工作温度范围使其可以在极端环境下可靠运行。
IRF7351广泛应用于各种电源管理领域，包括但不限于：
笔记本电脑和台式机的电源适配器。
服务器和通信设备中的DC-DC转换器。
汽车电子中的负载开关和电机驱动。
消费类电子产品的充电解决方案。
工业自动化控制中的开关电源和逆变器。
IRF7352
IRF7353
Si7860DP
