IRF7343ITRPBF是一款双N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Vishay International Rectifier制造。该器件集成了两个独立的MOSFET,分别具有不同的导通电阻和电压等级,适用于各种功率转换应用。其设计旨在降低开关损耗并提高效率,广泛应用于DC-DC转换器、同步整流电路以及负载开关等场景。
这款芯片采用了TSSOP-8封装形式,能够显著减少寄生电感,并且提供卓越的散热性能。通过优化栅极电荷和导通电阻之间的权衡,IRF7343ITRPBF在高频应用中表现出色。
型号:IRF7343ITRPBF
封装形式:TSSOP-8
Vds(漏源击穿电压):30V / 20V
Rds(on)(导通电阻):9mΩ(典型值,Vgs=10V)/ 15mΩ(典型值,Vgs=10V)
Id(连续漏电流):36A / 32A
Qg(栅极电荷):14nC / 20nC
BVDSS(漏源极间额定电压):30V / 20V
fT(特征频率):1.5MHz / 2.4MHz
工作温度范围:-55℃至+150℃
输入电容:1220pF / 1720pF
IRF7343ITRPBF具备以下主要特性:
1. 集成双MOSFET结构,一个为30V/9mΩ,另一个为20V/。
2. 极低的导通电阻Rds(on),有助于降低传导损耗。
3. 小巧的TSSOP-8封装形式,节省PCB空间并提升热性能。
4. 栅极电荷低,适合高频开关应用。
5. 宽泛的工作温度范围,确保在极端环境下稳定运行。
6. 符合RoHS标准,环保无铅工艺。
7. 可靠性高,适用于严苛的工业及汽车级应用场景。
IRF7343ITRPBF的应用领域包括:
1. DC-DC转换器中的高端和低端开关。
2. 同步整流电路以提高效率。
3. 负载开关和电源管理模块。
4. 电池保护与管理系统。
5. 汽车电子系统中的功率转换。
6. 工业自动化设备中的功率控制电路。
7. 电机驱动和逆变器应用。
8. 开关模式电源(SMPS)设计。
9. 各类消费类电子产品中的高效功率解决方案。
IRF7303TRPBF, IRF7344TRPBF