时间：2025/7/11 10:18:03
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SH21B154K100CT是一款高性能的功率MOSFET芯片，采用N沟道增强型技术设计。该芯片适用于需要高效率和低功耗的应用场景，广泛用于电源管理、电机驱动和开关电路等领域。其封装形式为TO-220，具有良好的散热性能，能够承受较高的电压和电流。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：15A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：1.7mΩ
总功耗：160W
工作温度范围：-55℃~175℃
SH21B154K100CT具备低导通电阻的特点，有助于降低导通损耗并提高系统效率。此外，该器件的高雪崩能量能力和快速开关速度使其在恶劣的工作条件下依然保持稳定。其栅极电荷较低，便于驱动，减少了驱动电路的设计复杂度。
该芯片还具有优异的热稳定性，能够在高温环境下长时间运行而不影响性能。同时，其封装设计确保了良好的电气连接和散热性能，进一步增强了可靠性。
SH21B154K100CT适合应用于多种领域，包括但不限于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机控制电路、逆变器、不间断电源(UPS)以及工业自动化设备中的功率控制部分。由于其出色的性能，它也常被用作功率放大器中的开关元件或负载切换装置的核心组件。
IRFZ44N, FQP16N10, STP15NF10
