时间：2025/5/15 14:38:21
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IRF7343I是一款N沟道逻辑电平增强型MOSFET，采用PowerPak SO-8封装形式。该器件专为高频、低功耗应用而设计，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等场景。
该MOSFET能够以较低的栅极驱动电压实现高效的开关操作，适合在便携式设备和其他对能效要求较高的场合中使用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：16A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（在Vgs=10V时）
输入电容：1240pF
总栅极电荷：16nC
最大工作结温：175°C
封装形式：PowerPak SO-8
IRF7343I具备非常低的导通电阻（Rds(on)），从而可以减少传导损耗，提高整体效率。
其栅极阈值电压较低，支持低至4.5V的逻辑电平直接驱动，减少了对外部驱动电路的需求。
此外，该器件的开关速度较快，总栅极电荷较小，这使得它非常适合高频应用环境。
该产品还具有良好的热稳定性和耐用性，在高负载和高温条件下依然能够保持稳定的性能表现。
IRF7343I广泛应用于各种电力电子领域，例如同步整流、降压/升压转换器、负载点（POL）转换器、电池管理系统、消费类电子产品中的负载开关控制以及小型电机驱动器。
由于其高效、紧凑的设计特点，该MOSFET特别适合空间受限且对功率密度要求较高的应用环境。
IRL7343,
STP16NF06L,
AO3400
