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IRF7342PBF 发布时间 时间:2025/7/10 12:18:08 查看 阅读:15

IRF7342PBF是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用PowerPAK SO-8封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于功率转换、电机驱动、负载切换等领域。
  IRF7342PBF的设计使其在便携式电子设备和高效电源管理应用中表现出色。其出色的性能指标包括极低的导通电阻以及优化的栅极电荷,从而能够降低功耗并提高效率。

参数

最大漏源电压:50V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:1.6mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
  栅极电荷:27nC
  总栅极电荷:39nC
  输入电容:1590pF
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:PowerPAK SO-8

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
  2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
  3. 快速开关特性,适用于高频开关电源设计。
  4. 增强的热性能,可有效提升散热能力。
  5. 良好的雪崩能力和耐用性,保证了器件的可靠性。
  6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机驱动控制
  4. 电池保护电路
  5. 负载切换和保护
  6. 通信系统中的功率放大器
  7. 消费类电子产品中的电源管理模块

替代型号

IRF7343G, IRF7344TRPBF, FDP17N50

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IRF7342PBF参数

  • 标准包装95
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C105 毫欧 @ 3.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds690pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装管件