IRF7342PBF是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用PowerPAK SO-8封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点。它广泛应用于功率转换、电机驱动、负载切换等领域。
IRF7342PBF的设计使其在便携式电子设备和高效电源管理应用中表现出色。其出色的性能指标包括极低的导通电阻以及优化的栅极电荷,从而能够降低功耗并提高效率。
最大漏源电压:50V
连续漏极电流:18A
导通电阻:1.6mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
栅极电荷:27nC
总栅极电荷:39nC
输入电容:1590pF
工作结温范围:-55℃至+175℃
封装形式:PowerPAK SO-8
1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗。
2. 高电流处理能力,适合大功率应用。
3. 快速开关特性,适用于高频开关电源设计。
4. 增强的热性能,可有效提升散热能力。
5. 良好的雪崩能力和耐用性,保证了器件的可靠性。
6. 符合RoHS标准,环保无铅设计。
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 直流-直流转换器
3. 电机驱动控制
4. 电池保护电路
5. 负载切换和保护
6. 通信系统中的功率放大器
7. 消费类电子产品中的电源管理模块
IRF7343G, IRF7344TRPBF, FDP17N50