时间：2025/7/8 15:38:04
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IRF7342D2TRPBF 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的双 N 沷尔场效应晶体管（N-MOSFET）。该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，适用于需要高效能和低导通电阻的应用场景。其封装形式为 SO-8（PowerPAK SO-8），具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。
IRF7342D2TRPBF 内部集成了两个独立的 N-MOSFET，每个 MOSFET 都具备极低的导通电阻（Rds(on)），从而提高了整体效率并减少了功率损耗。这种设计使其非常适合于 DC/DC 转换器、负载开关、电机驱动以及各种电源管理应用。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流（单个MOSFET）：9.6A
导通电阻（Rds(on)）：5.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
总栅极电荷：22nC
反向恢复时间：40ns
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SO-8（PowerPAK SO-8）
1. 低导通电阻（Rds(on)）能够显著降低传导损耗，提升系统效率。
2. 高速开关性能得益于较低的栅极电荷和反向恢复时间。
3. 双 MOSFET 集成设计节省了 PCB 空间，并简化了电路设计。
4. 宽工作温度范围确保在极端环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，采用无铅封装材料，环保且安全。
6. 内置 ESD 保护功能增强了器件的抗静电能力。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC/DC 转换器的高端和低端开关。
3. 电池管理系统中的负载开关和保护电路。
4. 各类电机驱动器，如无刷直流电机（BLDC）控制器。
5. 便携式电子设备中的电源管理模块。
6. 工业自动化设备中的信号切换和功率控制电路。
IRF7342TRPBF, BSC016N06NS3, FDP5500NL
