IRF7341UTR 时间：2025/4/30 17:36:18 阅读：16

IRF7341UTR是一款由Vishay公司生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种功率转换应用。其小型化的封装设计使其非常适合空间受限的设计环境。
　　IRF7341UTR的额定电压为60V，能够承受较高的漏源极电压，同时具备出色的电流处理能力。其主要应用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等领域。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：25A
　　导通电阻（Rds(on)）：2.8mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电荷：27nC
　　输入电容：1490pF
　　总功耗：15W
　　工作温度范围：-55°C to 150°C
　　封装类型：PowerPAK? SO-8

特性

IRF7341UTR具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于降低导通损耗，提高效率。
　　2. 高速开关性能，适合高频应用。
　　3. 较小的封装尺寸，便于在紧凑型设计中使用。
　　4. 支持较高的连续漏极电流，增强了其在大功率应用中的适用性。
　　5. 宽泛的工作温度范围，确保了其在各种环境下的可靠性。
　　6. 符合RoHS标准，环保且安全。
　　这些特性使得IRF7341UTR成为众多功率管理应用的理想选择。

应用

IRF7341UTR广泛应用于以下领域：
　　1. DC-DC转换器：用于电压调节和功率转换。
　　2. 负载开关：实现电源的快速接通和断开。
　　3. 电机驱动：控制电机的速度和方向。
　　4. 电池保护：防止过流和短路。
　　5. 消费类电子产品：如笔记本电脑适配器、平板电脑等。
　　6. 工业设备：如工业控制器和自动化系统。
　　由于其高性能和可靠性，这款MOSFET特别适合需要高效能和稳定性的应用场景。