类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：700V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：6A
　　导通电阻（RDS(on)）：1.8Ω @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：50W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FDB6N70TM具有多个关键特性，使其在功率应用中表现出色。
　　首先，它的漏源电压额定值为700V，适用于高压应用，例如开关电源（SMPS）和高电压DC-DC转换器。此外，该器件的导通电阻（RDS(on)）仅为1.8Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。
　　其次，FDB6N70TM采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能，能够在较高功率下稳定工作。这种封装形式也便于PCB布局和自动化装配。
　　该器件的栅极驱动电压范围为±20V，但通常在+10V时即可实现较低的RDS(on)，这使其兼容多种常见的MOSFET驱动器。此外，该MOSFET具有良好的抗雪崩能力，提高了在高能量开关环境下的可靠性。
　　最后，FDB6N70TM的工作温度范围为-55°C至150°C，适合在极端环境条件下使用，如工业控制系统和汽车电子设备。

FDB6N70TM广泛应用于多种功率电子系统中。
　　在电源管理方面，它常用于AC-DC和DC-DC转换器，特别是在需要高压输入的场合，如通用电源适配器、LED驱动器和电池充电器。其低导通电阻和高耐压能力使其在这些应用中具备较高的效率和稳定性。
　　在工业控制领域，该MOSFET可用于电机驱动、继电器替代和负载开关等场景。其高电流能力和良好的热性能确保其在频繁开关操作中保持稳定。
　　此外，FDB6N70TM也可用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和功率因数校正（PFC）电路等高功率应用。其高可靠性和封装散热设计使其在高温环境中仍能保持良好性能。

FQA6N70C, STF6N70DM2, 2SK2143