IRF7341是一款N沟道增强型MOSFET,由Vishay公司生产。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种高频和高效能的功率转换应用。IRF7341广泛用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场景。
型号:IRF7341
类型:N沟道MOSFET
封装:SO-8
Vds(漏源电压):20V
Rds(on)(导通电阻):5.5mΩ
Id(连续漏极电流):26A
Bvdss(击穿电压):20V
Qg(栅极电荷):10nC
fT(截止频率):3.6MHz
功耗:240W
工作温度范围:-55℃至+150℃
IRF7341的主要特点是其低导通电阻(Rds(on)),这使得它在功率转换应用中能够显著降低传导损耗,提高效率。此外,该器件还具备快速开关能力,支持高频操作,非常适合用于同步整流和降压转换器。
该器件的高电流承载能力和宽工作温度范围使其适合于各种恶劣环境下的应用。散热性能和紧凑的设计,便于PCB布局。
IRF7341适用于多种功率电子领域,包括但不限于以下应用:
- DC-DC转换器中的同步整流
- 负载开关和电源管理
- 小型电机驱动控制
- 笔记本电脑和移动设备的电源适配器
- LED驱动器
- 开关模式电源(SMPS)
由于其高性能和可靠性,IRF7341成为许多设计工程师在低电压、大电流应用中的首选器件。
IRF7309, IRF7310