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IRF7331TRPBF 发布时间 时间:2025/5/10 14:54:07 查看 阅读:9

IRF7331TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 (D2PAK) 封装形式,适用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。
  IRF7331TRPBF 提供了较低的导通电阻和较高的工作电压,使其非常适合需要高效能和低损耗的应用场景。此外,其快速开关特性也能够满足高频电路设计的需求。

参数

最大漏源电压:40V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:38A
  导通电阻(Rds(on)):4.5mΩ
  栅极电荷:14nC
  开关时间:开通延迟时间 18ns,关断下降时间 15ns

特性

IRF7331TRPBF 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 Rds(on),确保在大电流条件下具有较低的功耗。
  2. 快速的开关速度,有助于提高工作效率并减少电磁干扰。
  3. 高额定电流能力,支持大功率应用。
  4. 坚固耐用的设计,能够在严苛的工作环境下保持稳定性能。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且适合现代电子产品的生产要求。

应用

IRF7331TRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. DC-DC 转换器
  3. 电机控制和驱动
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块
  5. 大功率 LED 驱动电路
  6. 各种负载开关和保护电路

替代型号

IRF7332TRPBF, IRF7333TRPBF

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IRF7331TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 7A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs20nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1340pF @ 16V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7331PBFTRIRF7331TRPBF-NDIRF7331TRPBFTR-ND