SQCB7M6R8BAT1A是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,专为高频开关应用而设计。该器件采用了先进的封装技术,能够提供卓越的热性能和电气性能,适合用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器以及无线充电等应用场景。
该型号的主要特点是其低导通电阻(Rds(on)),能够在高频率下保持较低的开关损耗,从而提高整体效率。此外,它还具备快速的开关速度和出色的抗电磁干扰能力。
类型:增强型场效应晶体管(eGaN FET)
耐压:650 V
导通电阻:8 mΩ
封装形式:TO-247-4L
最大漏极电流:140 A
栅极电荷:90 nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
开关频率:支持高达3 MHz
SQCB7M6R8BAT1A具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于降低传导损耗,提升系统效率。
2. 高频开关能力,使其非常适合高频DC-DC转换器和LLC谐振转换器的应用。
3. 良好的热管理性能,通过优化的封装设计有效散逸热量。
4. 内置过流保护和短路保护功能,提高了系统的可靠性和安全性。
5. 栅极驱动电压兼容性好,便于与现有电路设计无缝集成。
6. 符合RoHS标准,环保且易于批量生产。
这款功率晶体管适用于多种电力电子应用领域:
1. 数据中心服务器电源和电信设备电源中的AC-DC和DC-DC转换器。
2. 工业级电机驱动器和逆变器控制。
3. 消费类电子产品中的快速充电适配器和无线充电器。
4. 新能源汽车中的车载充电器(OBC)和高压DC-DC转换模块。
5. 太阳能微型逆变器以及其他需要高效能量转换的场景。
SQCB7M6R8BPT1A, SQCB7M6R8CAT1A