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IRF7317TRPBF 发布时间 时间:2025/5/7 12:34:18 查看 阅读:4

IRF7317TRPBF是英飞凌(Infineon)公司生产的一款双N沟道MOSFET功率晶体管,采用TOLL封装。该器件设计用于高效率开关应用,例如同步整流、DC-DC转换器和多相电源等。由于其低导通电阻和优化的栅极电荷特性,IRF7317TRPBF能够提供出色的功率转换效率和较低的功耗。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:2×38A
  导通电阻:2×1.6mΩ
  栅极电荷:2×59nC
  总栅极电荷:123nC
  工作温度范围:-55℃至175℃
  封装形式:TOLL

特性

IRF7317TRPBF具有低导通电阻和低栅极电荷的特点,这使其非常适合高频开关应用。其双MOSFET结构允许在同步整流电路中使用单一封装,从而减少PCB面积并简化设计。
  此外,该器件具备较高的电流处理能力和良好的热性能,适用于要求苛刻的电源管理场景。通过降低传导损耗和开关损耗,IRF7317TRPBF能够有效提升系统效率。

应用

IRF7317TRPBF广泛应用于各种电源管理系统中,包括但不限于笔记本电脑适配器、服务器电源、通信电源以及电动工具中的高效功率转换电路。
  具体应用领域如下:
  1. 同步整流拓扑中的主开关和续流二极管功能替代
  2. 高效DC-DC转换器
  3. 多相降压转换器
  4. 电机驱动控制
  5. 工业级AC-DC适配器解决方案

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IRF7317TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6.6A,5.3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C29 毫欧 @ 6A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)700mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds900pF @ 15V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7317PBFTR