时间：2025/7/14 16:45:19
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IRF7316QTRPBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌）生产的一款高性能双 N 沟道功率 MOSFET，采用先进的 TrenchFET 技术。该器件封装在小型化的 8 引脚 SOIC 封装中，适用于高密度电源管理应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏极电流 (Id)：5.8A（最大值）
漏源电压 (Vds)：30V
栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：24mΩ @ Vgs=10V
功率耗散：2W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
IRF7316QTRPBF 采用先进的 TrenchFET 技术，提供更低的导通电阻和更高的效率。其双 N 沟道设计使其非常适合用于同步整流、负载开关和 DC-DC 转换器等应用。
该器件具有优异的热性能和可靠性，能够在高温环境下稳定工作。此外，它还具备较低的输入电容和快速的开关速度，有助于减少开关损耗并提高系统效率。
IRF7316QTRPBF 的封装设计紧凑，适合空间受限的应用场景，并且符合 RoHS 环保标准，适用于各种工业和消费类电子产品。
该 MOSFET 主要应用于笔记本电脑电源管理系统、DC-DC 转换器、电池管理系统、负载开关以及同步整流电路等领域。
在服务器和通信设备的电源模块中，IRF7316QTRPBF 可作为高效的功率开关元件使用。此外，在电机控制和功率放大器电路中也有广泛的应用前景。
Si7316DP, FDS6680, IRF7317QTRPBF
