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IRF7303TRPBF 发布时间 时间:2025/4/30 17:30:39 查看 阅读:4

IRF7303TRPBF 是一款双通道 N 沃特功率 MOSFET,采用 SO-8 封装。该器件由国际整流器公司(International Rectifier,现为英飞凌的一部分)生产,广泛用于需要高效率和低导通电阻的应用中。
  IRF7303TRPBF 的两个独立的 MOSFET 集成在同一封装内,适合于负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动等应用。由于其出色的性能,这款器件在便携式电子设备和消费类电子产品中非常受欢迎。

参数

最大漏源电压:20V
  最大连续漏电流:4.5A
  典型导通电阻:6mΩ(Vgs=10V)
  栅极电荷:1.8nC(典型值)
  总电容:120pF(典型值)
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:SO-8

特性

IRF7303TRPBF 具有低导通电阻 (Rds(on)) 和低栅极电荷 (Qg),从而可以实现高效率和快速切换。此外,其双通道设计有助于减少印刷电路板上的空间需求,并降低系统成本。
  该器件的低导通电阻能够显著减少传导损耗,而其优化的开关特性则可以提高开关电源和负载开关的效率。同时,IRF7303TRPBF 的高雪崩能力和坚固的设计使其能够在恶劣的工作条件下保持稳定。
  由于其额定漏源电压为 20V,因此 IRF7303TRPBF 非常适合低压应用环境,例如笔记本电脑适配器、电池管理系统以及通信设备中的各种功率转换任务。
  此外,该器件还符合 RoHS 标准,确保了环保和可持续性要求。

应用

IRF7303TRPBF 广泛应用于以下领域:
  - 笔记本电脑及平板电脑适配器
  - 电池管理系统 (BMS)
  - 开关模式电源 (SMPS)
  - 电信和网络设备中的 DC-DC 转换器
  - 各种负载开关应用
  - 电机驱动和控制
  由于其紧凑的设计和优异的电气性能,IRF7303TRPBF 成为了许多现代电子设备中不可或缺的关键元件。

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IRF7303TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列HEXFET®
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C4.9A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C50 毫欧 @ 2.4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs25nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds520pF @ 25V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRF7303PBFTR